Q. Etch 공정에서의 selectivity

답변 6

• P

  PRO액티브현대트랜시스

  코전무 ∙ 채택률 100%

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  질문자님께서 생각하신 방향이 맞습니다. RIE(Reactive Ion Etching) 공정에서 Selectivity(선택비)가 중요한 이유는 단순히 마스크가 빨리 닳는 문제를 넘어 공정 수율과 패턴 정밀도, 후속 공정까지 영향을 미치기 때문입니다. 선택비가 낮으면 가장 먼저 Hard Mask나 Photoresist를 더 두껍게 형성해야 하는데, 이 경우 말씀하신 것처럼 High Aspect Ratio 패턴에서는 개구부가 좁아져 이온과 라디칼의 공급이 원활하지 않아 Etch Rate 저하, Aspect Ratio Dependent Etching(ARDE), Loading Effect가 심해질 수 있습니다. 또한 원하는 깊이까지 식각하기 전에 마스크가 먼저 소모되면 CD(Critical Dimension) 변화가 발생하고 패턴의 형태가 무너지거나 Sidewall Profile이 악화되어 수직도가 떨어질 수 있습니다. 더욱이 Over Etch 시간을 길게 가져갈 수 없어 공정 마진(Process Margin)이 감소하며, 반대로 충분한 식각을 위해 Over Etch를 과도하게 수행하면 하부층(Substrate)이나 Stop Layer까지 손상되는 문제가 발생합니다. 특히 반도체 미세공정에서는 선택비가 좋지 않으면 Gate Oxide나 Barrier Layer, Low-k Dielectric 등의 손상이 발생하여 소자의 전기적 특성이 저하되고, 결과적으로 수율 감소와 신뢰성 문제로 이어질 수 있습니다. 따라서 선택비는 단순히 식각 속도보다 공정 안정성을 확보하는 핵심 지표라고 볼 수 있습니다.

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• 3

  3분커리er삼성전자

  코이사 ∙ 채택률 50% ∙

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  일치

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  CD 불량, PROFILE 불량, UNIFORMITY 악화 등이 있습니다 SELCTIVITY 개선은 여러가지가 있는것으로 알고있는데 RF BIASE, CH PRESS, GAS 유랑 및 성분 조절 등이 있을 것 같습니다 도움되셨다면 채택 부탁드립니다

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• 

  합격 메이트삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 79% ∙

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  멘티님. 안녕하세요. ​식각 공정에서 선택비가 나쁘면 원하는 막질 외에 하부 박막이나 마스크가 함께 깎여 소자의 치명적인 불량과 치수 변형을 유발합니다. 멘티님 생각대로 마스크가 버티지 못하면 미세 패턴의 형상이 무너지거나 타겟 깊이까지 충분히 식각하지 못하는 문제가 발생합니다. ​좋은 선택비를 확보하려면 가스 유량이나 온도 외에 플라즈마 파워와 소스 주파수를 조절하여 이온의 직진성과 에너지를 최적화합니다. 추가로 적절한 중합체 형성 가스를 혼합하여 보호막을 쌓거나 챔버 압력을 제어해 화학적 반응과 물리적 충돌의 균형을 맞추는 방법이 있습니다. ​응원하겠습니다.

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• 생

  생일파티하는도시락KEC

  코사원 ∙ 채택률 0% ∙

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  1. Etch 공정의 경우, Mask가 반드시 필요한 공정이기에 Selectivity가 중요합니다. Target 막질이 모두 식각되기 전 Mask가 식각되기 시작한다면 설계된 Profile 및 구조를 구현할 수 없습니다. 또한 민감한 Step 의 경우, 하부 막질의 잔여 두께가 중요할 수 있기에 Selectivity를 높여야합니다. 2. Gas 유량비, Pressure, RF Power 등 여러 Parameter를 조절함으로써 Selectivity를 향상시킬 수 있습니다.

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• 메

  메에모리삼성전자

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  말 그대로 엣지의 퀄리티를 위해 필요합니다

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 57% ∙

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 당연히 selectivity가 좋아야 원가 절감이랑 공정 시간을 줄일 수 있고 그 외에도 발생하는 공정 이슈를 줄일 수 있어서에요 에치 공정 자체가 막을 깎는 공정이니까 원하는 물질만 깎아내는게 모든 면에서 유리해요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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